Optimierte reaktive Bondtechnologie auf der Basis neuartiger Zirkonium-Systeme für den Einsatz in der Mikrosystemtechnik

An den Forschungsinstituten CiS, Fraunhofer IWS und Hahn-Schickard arbeiten wir schon seit einigen Jahren erfolgreich an der Herstellung und Anwendung von reaktiven Multischichtsystemen (RMS). Neben dem Ni/Al-RMS als Standardsystem zum reaktiven Fügen wird das neuartige Zr/Si-RMS als interessante Alternative angesehen. Gegenüber dem Ni/Al-Standard bietet das Zr/Si-System einige Vorteile, wie höheren Energiegehalt, was dünnere Schichten und den Einsatz von Hartloten ermöglicht, sowie weniger Rissbildung, was neue Anwendungen in der Mikrosystemtechnik ermöglichen wird.

Im Rahmen eines neuen Forschungsprojekts der industriellen Gemeinschaftsforschung (IGF) der AiF möchten wir die reaktive Bondtechnologie auf Basis der Zr/Si-Systeme optimieren und für den Einsatz in der Mikrosystemtechnik vorbereiten. Für dieses Projekt suchen wir Firmen, die das Projekt begleiten, indem sie an regelmäßig stattfindenden Projektsitzungen teilnehmen und/oder das Projekt durch Bereitstellung von Versuchsmaterial oder Dienstleistung unterstützen.


Ihre Vorteile im projektbegleitenden Ausschuss:

  •  Greifen Sie direkt auf die Projektergebnisse zu
  •  Bringen Sie Ihre Ideen ein
  •  Steuern Sie das Projekt aus Ihrer Praxissicht

Auf Anfrage erhalten Sie weitere Informationen zum geplanten Projekt. Bitte wenden Sie sich dazu an nebenstehenden Kontakt.

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PROJEKTFUSSNOTE:

Fördergeber/Finanzierung: IGF
Projektträger: AiF
Kooperationspartner: CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH, Fraunhofer-Institut für Werkstoff- und Strahltechnik IWS

Kontakt


Dr. Stephan Knappmann
Hahn-Schickard,
Villingen-Schwenningen
Tel.: +49 7721 943-224
Stephan.Knappmann@Hahn-Schickard.de
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